特許
J-GLOBAL ID:200903052963740099

表面波装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-280976
公開番号(公開出願番号):特開平8-139565
出願日: 1994年11月15日
公開日(公表日): 1996年05月31日
要約:
【要約】【目的】 温度特性Tcが小さく、かつ電気機械結合係数Kの大きな圧電基板を用いたラブ波を利用する表面波装置を提供する。【構成】 41°回転Y板X伝搬LiNbO3 基板上に、該LiNbO3 基板よりも表面波伝搬速度が遅い材料よりなる圧電薄膜を形成することにより圧電基板を構成し、該圧電基板にインターデジタルトランスデューサを設けてなる、ラブ波を利用した表面波装置。
請求項(抜粋):
41°回転Y板X伝搬LiNbO3 基板と、前記LiNbO3 基板上に形成されており、かつ前記LiNbO3 基板に比べて表面波伝搬速度が遅い材料よりなる圧電薄膜とを有する圧電基板と、前記圧電基板に設けられたインターデジタルトランスデューサとを備え、ラブ波を利用するように構成されていることを特徴とする、表面波装置。
引用特許:
審査官引用 (9件)
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