特許
J-GLOBAL ID：200903052976690600

基板処理装置及び方法

発明者：
工藤 利雄

工藤 利雄 について


出願人/特許権者：
住友重機械工業株式会社

住友重機械工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230217
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 ボイド等が形成されにくく、密着力の高い、しかも、優れた電気特性を有する配線膜を形成すること。【解決手段】 搬出入室15、16に収容されたカートリッジCAからクリーニングユニット11に基板Wを搬出し、ここで基板Wを加熱して基板W表面に吸着した汚染物質を脱離する。次に、スパッタ成膜ユニット12に基板Wを移送し、窒素雰囲気下で膜材料Taからなる電極をスパッタすることによって基板W上にTaNのバリア膜を薄く形成する。次に、イオンプレーティングユニット13に基板Wを移送し、プラズマビームを利用して膜材料Cuを蒸発させるとともにこのCu蒸気をイオン化させて基板W上であってバリア膜上にCuのシード膜を薄く形成する。処理ユニット11〜13での必要な処理が終了した基板Wは、搬送装置10を経て一旦搬出入室15、16に搬入され、カートリッジCAに順次収納される。
請求項（抜粋）：
基板上にドライプロセスで配線用のバリア層を形成する第1成膜ユニットと、プラズマビームを供給するプラズマ源と、配線用のシード層の膜材料を収容可能な材料蒸発源を有するとともに前記プラズマビームを導くハースと、前記ハースに対向して基板を保持する保持手段とを有し、前記第1成膜ユニットで形成した前記バリア層上に配線用のシード層を形成する第2成膜ユニットとを備える基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/285 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/513 ,  H01L 21/3205
FI (6件)：
H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/32 Z ,  C23C 16/513 ,  H01L 21/88 M
Fターム (43件)：
4K029AA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029CA06 ,  4K029DD06 ,  4K029FA04 ,  4K029KA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA04 ,  4K030GA12 ,  4K030HA03 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD36 ,  4M104DD39 ,  4M104DD42 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP16 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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