特許
J-GLOBAL ID：200903052986441501

活性原子の供給制御方法

発明者：
佐藤 理夫

佐藤 理夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066913
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283140
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】半導体薄膜や絶縁膜等の各種薄膜の製造技術、種々のドライエッチング技術あるいは表面処理技術等に用いられる各種原料ガスを活性化するためのプラズマ点火および停止を含め、原料ガスのプラズマ状態の制御を容易に行える活性原子の供給制御法を提供する。【構成】あらかじめ活性原子供給装置に、元素の周期律表0族に属する不活性ガスのプラズマ領域を形成させ、このプラズマ領域に原料ガスの所定量を断続的もしくは連続的に供給してプラズマ状態を制御するか、もしくは不活性ガスと原料ガスの混合ガスにプラズマを点火した後、プラズマ状態を制御して活性原子の供給量を制御する。【効果】不純物の取り込みが少なく、組成が均質で高品質の薄膜が形成でき、ドライエッチングや表面処理において清浄で品質の良い表面が得られる。
請求項（抜粋）：
原料ガスをプラズマ状態に活性化して活性原子を反応容器に供給制御する方法において、あらかじめ活性原子供給装置の設定の位置に、元素の周期律表0族に属する不活性ガスのプラズマ領域を形成しておき、該プラズマ領域内に、所望の原料ガスを断続的もしくは連続的に供給して、原料ガスのプラズマ状態を調整し活性原子の供給量を制御することを特徴とする活性原子の供給制御方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
引用特許：
審査官引用 (8件)
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