多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-112815
公開番号（公開出願番号）：特開2008-264952
出願日： 2007年04月23日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】結晶面の少なくとも1つの面積が1mm2以上からなる単結晶を含む多結晶シリコン基板の研磨において基板表面に段差の発生しない平面研磨加工方法を提供する。【解決手段】基板表面に2種以上の異なる結晶方位を有する結晶面を露出し、該結晶面の少なくとも1つの面積が1mm2以上である単結晶からなる多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法であって、Ti,Zr,Si,Al,Ce,Ca,Mgの酸化物、水酸化物、炭化物、窒化物である研磨材とコロイダルシリカ、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウムの一種以上からなる酸化剤とを含む研磨液を用いて研磨を行う多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板表面に2種以上の異なる結晶方位を有する結晶面を露出し、該結晶面の少なくとも1つの面積が1mm2以上である単結晶からなる多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法であって、研磨材と酸化剤とを含む研磨液を用いて研磨を行う多結晶シリコン基板の平面研磨加工方法。

IPC (4件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 , C09K 3/14 , G11B 5/84

FI (6件)：

B24B37/00 H , B24B37/00 C , H01L21/304 622D , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z , G11B5/84 A

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA17 , 5D112AA02 , 5D112AA24 , 5D112BA09 , 5D112GA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポリシリコン用研磨材およびその研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-169384 出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (5件)

特開平2-109332
半導体素子のコンタクトプラグの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-188298 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
研削シリコンウエハの鏡面研摩方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-355605 出願人：住友大阪セメント株式会社

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