特許
J-GLOBAL ID：200903053016781802
基板上にマスクパターンを繰り返し写像する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-506361
公開番号（公開出願番号）：特表平9-504142
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】マスクパターン(C)を基板(W)上に繰り返し写像するための方法及び装置が開示されている。投射ビーム(PB)により、基板(W)上のフォトレジスト中に形成された新しい非対称のテストマークの像を測定することによって、写像に用いられる投射レンズシステムの焦点合わせ、及び、この装置及び投射レンズシステム(PL)の他の種々のパラメーター、並びに、照射線量を、正確に且つ確実に測定することができ、この装置の測定装置を較正することができる。
請求項（抜粋）：
次のステップ、即ち ・少なくとも1つのテストマークを有するマスクをマスクテーブル中に具え、該テストマークが、ストリップと投射ビーム放射線に対して非射出性の中間ストリップとが交互にある周期的構造を持ち、 ・放射線感受性層を有する基板を基板テーブルに具え、 ・投射ビーム及び投射システムによってマスクの少なくとも1つのテストマークの像を放射線感受性層に投射し、 ・基板の位置合わせマークに対してマスクの位置合わせマークを合わせるための位置合わせ装置によって前記像を検出し、 ・テストマーク像検出装置の出力信号によってマスクパターン像の品質及び位置に影響する少なくとも1つのパラメーターを設定し、且つ ・生産基板上の連続した異なる位置に生産マスクパターンを繰り返し写像するステップを具える、投射ビームによりマスクテーブルに置かれたマスクパターンを基板テーブルに置かれた基板上に繰り返し写像する方法において、 テストマークのストリップが、部分的に投射ビーム放射線に対して非射出性であり、部分的に交互に存在する投射ビーム放射線に対して射出性及び非射出性である複数のサブストリップからなり、テストマーク像検出が、最初はテストマーク像のマスクマークへの位置合わせからなり、次に位置合わせ装置が該像のシフトとして測定し且つ解釈すべきパラメーターによって生ずるテストマーク像の非対称性の変化を検出することを特徴とする基板上にマスクパターンを繰り返し写像する方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 525 D
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 522 D
, H01L 21/30 526 B
