特許
J-GLOBAL ID:200903053024297715

液晶表示装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森岡 正樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-151573
公開番号(公開出願番号):特開2006-330201
出願日: 2005年05月24日
公開日(公表日): 2006年12月07日
要約:
【課題】本発明は、スイッチング素子を用いて画素を制御するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関し、視角特性に優れて高輝度な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】TFT基板1は、制御容量が形成される制御容量部42の保護絶縁膜40、及び補助容量が形成される補助容量部43の保護絶縁膜40の膜厚が、TFT5等を覆う保護絶縁膜40の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、 前記第1及び第2の基板の間に封入された垂直配向型液晶と、 前記第1の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、 前記第1の基板に前記ゲートバスラインと交差して設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、 前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域毎に形成されたスイッチング素子と、 前記画素領域毎に形成された画素電極と、 前記画素領域に設けられて前記スイッチング素子と接続された制御電極と、 前記画素電極の下方であって前記ゲートバスライン、前記データバスライン、前記スイッチング素子及び前記制御電極を覆う保護絶縁膜とを備え、 前記画素電極が少なくとも第1及び第2の領域に分割され、 前記第1の領域の画素電極は、前記制御電極と電気的に接続されており、 前記第2の領域の画素電極は、前記制御電極と前記保護絶縁膜を介して容量結合している液晶表示装置において、 前記第2の領域の画素電極と前記制御電極とに挟まれた前記保護絶縁膜のうちの少なくとも一部は、その他の部分を覆う前記保護絶縁膜に比べて膜厚が薄く形成されていること を特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件):
G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/35
FI (5件):
G02F1/1368 ,  G02F1/1333 505 ,  G02F1/1337 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/35
Fターム (31件):
2H090HA04 ,  2H090HA05 ,  2H090HA08 ,  2H090HB04X ,  2H090HC12 ,  2H090HD07 ,  2H090KA07 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H090MA01 ,  2H090MA15 ,  2H092GA14 ,  2H092JA26 ,  2H092JB45 ,  2H092JB56 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB67 ,  2H092KB25 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092PA02 ,  2H092QA09 ,  5C094AA10 ,  5C094AA12 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB19
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-106138   出願人:富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社, 友達光電股ふん有限公司
審査官引用 (7件)
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