高開口率液晶表示素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197377
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082355
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】ハーフトーン露光方式を利用して透明樹脂絶縁膜の厚さを低下させることにより、画質向上及び高開口率を得ることができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】透明性絶縁基板の上部にゲート電極21aを含むゲートバスライン21及びストレージキャパシタ電極21bを平行に形成する段階、ゲート絶縁膜22を蒸着する段階、ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階、半導体層の上部にデータバスライン25を形成し、薄膜トランジスタを完成する段階、下部基板の上部に絶縁膜26を蒸着する際、ストレージキャパシタ電極の上部にある絶縁膜領域の厚さが他の部分上の絶縁膜領域の厚さより薄く形成する段階、ドレイン電極所定部分が露出するように、絶縁膜を選択的に除去しコンタクトホールを形成する段階、コンタクトホールを介しドレイン電極とコンタクトするように、絶縁膜上部に画素電極27を形成する段階とを含んでなる。

請求項（抜粋）：

透明性絶縁基板の上部にゲート電極を含むゲートバスラインを形成し、同時にゲートバスラインと平行にストレージキャパシタ電極を形成する段階と、前記段階の結果物の上面上にゲート絶縁膜を蒸着する段階と、前記ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層の上部にソース/ドレイン電極を含むデータバスラインを形成し、薄膜トランジスタを完成する段階と、前記薄膜トランジスタが完成された下部基板の上部に絶縁膜を蒸着する際、前記ストレージキャパシタ電極の上部にある絶縁膜領域の厚さが他の部分上の絶縁膜領域の厚さより薄く形成する段階と、前記ドレイン電極の所定部分が露出するように、前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを介して露出したドレイン電極とコンタクトするように、前記絶縁膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする高開口率液晶表示素子の製造方法。

IPC (7件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 619 A

Fターム (48件)：

2H088HA04 , 2H088HA08 , 2H088MA06 , 2H090HA02 , 2H090HC11 , 2H090LA04 , 2H092GA28 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092NA07 , 5C094AA10 , 5C094AA15 , 5C094AA22 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094DB10 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-299957 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-172341 出願人：株式会社東芝
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-171322 出願人：ホーヤ株式会社

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