特許
J-GLOBAL ID：200903053033417782
高透過率ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた4分の1露光波長以下線形パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-546999
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501634
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】露光装置を使用して集積回路に相当するリソグラフィックパターンを半導体基板上に光学的に転写するためのマスクを形成する方法。この方法は与えられたマスクパターンを「結像要素」の配列に分解する工程を備えている。これらの結像要素は180度位相偏移され、散乱防止バーと呼ばれる位相偏移を起こさない解像度以下の幅の要素によって分離される。要するに、散乱防止バーはマスクの最小線幅以上の図形を分解してハーフトーン状の結像パターンを形成するために利用される。散乱防止バーの配置とその幅は180度位相偏移要素がいずれも個別的には解像可能ではないが全体で意図したマスク形状とほぼ同様のパターンを形成するように設定されている。
請求項（抜粋）：
露光装置を使用して集積回路に相当するリソグラフィックパターンを半導体基板上に光学的に転写するためのマスクを形成する方法であって、 上記集積回路に相当するリソグラフィックパターンを備え複数の印刷すべき図形を有するマスクを作成する工程と、 上記複数の図形のうち所定値以上の幅を有する図形のそれぞれを非位相偏移要素によって互いに分離された複数の180度位相偏移要素に分解する工程とを備え、 上記複数の180度位相偏移要素のそれぞれの間隔が個々の180度位相偏移要素をいずれも解像不可能する間隔になっているマスク形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 515 F
