位相シフトマスク及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-202015
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】光透過率を損なうことなく、微細で且つ高精度な位相シフタを有する位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的としている。【構成】石英基板1上に、LPD膜から成る位相シフタ2A,2B,2Cを設けたことを特徴としている。まず、石英基板上にフォトレジストパターンを形成する。この石英基板を弗酸の酸化珪素過飽和溶液に浸漬させ、レジストパターンで覆われていない石英基板の露出面上に過飽和溶液からの酸化珪素の析出によりSiO2 膜を形成する。その後、酸素プラズマにより上記レジストパターンを灰化して除去する。石英基板1上に残存されたSiO2 膜は位相シフタとして働く。位相シフタの柔軟性を向上させるための添加物が不要になるので、光透過率の低下や焼成時の体積収縮を招くことなく、均一な膜厚の位相シフタを有する位相シフトマスクが提供できる。

請求項（抜粋）：

透光性基板と、前記透光性基板上に設けられたLPD膜からなる位相シフタとを具備することを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (7件)

位相シフトレチクルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-209703 出願人：日本電気株式会社
特開平4-153652
特開平4-123060

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