特許
J-GLOBAL ID：200903053058229107
フォトマスク、フォトマスク重ね合わせ補正方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-065516
公開番号（公開出願番号）：特開2008-225224
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】投影レンズの収差に起因した転写位置のずれや、パターン非対称による計測誤差に起因したアライメント誤差、及び重ね合わせ検査精度の低下を改善できるフォトマスクを提供すること。【解決手段】アライメントマーク及び重ね合わせ検査マークは各々、本体マーク部5と、この本体マーク部5の相対する2つの側端部それぞれに沿って形成された第1、第2の補助パターン部6とを含む。本体マーク部5は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。第1、第2の補助パターン部6は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。繰り返しパターンのピッチPAは、デバイスパターンの最小ピッチPDと等しくする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
一表面に遮光膜を有する透光性基体と、
前記透光性基体上に、前記遮光膜の有無に応じた透光部と遮光部とのパターンによって形成され、半導体集積回路装置の回路パターンとなるデバイスパターンと、
前記透光性基体上に、前記遮光膜の有無に応じた透光部と遮光部とのパターンによって形成され、露光時のフォトマスクの位置合わせに利用されるアライメントマーク、及び前記透光性基体上に、前記遮光膜の有無に応じた透光部と遮光部とのパターンによって形成され、前記デバイスパターンが正しい位置に露光されたかどうかを検査する重ね合わせ検査に利用される重ね合わせ検査マークの少なくともいずれか一方を備え、
前記アライメントマーク及び前記重ね合わせ検査マークは各々、本体マーク部と、この本体マーク部の相対する2つの側端部それぞれに沿って形成された第1、第2の補助パターン部とを含み、
前記本体マーク部は、半導体ウェーハ上に形成された感光性膜に解像する線幅を有する、前記遮光膜を開孔したスペースパターン、又は前記遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成され、
前記第1、第2の補助パターン部は各々補助パターンを含み、前記補助パターンは、前記感光性膜に解像しない線幅を有する、前記遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は前記遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成され、
前記繰り返しパターンのピッチは、前記デバイスパターンの最小ピッチと等しいことを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, G03F 7/20
G03F1/08 N
, H01L21/30 525W
, H01L21/30 516A
, G03F7/20 521
2H095BA02
, 2H095BB02
, 2H095BD06
, 2H095BD09
, 2H095BD23
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046CB25
, 5F046DA13
, 5F046ED05
, 5F046FC04
