不純物の活性化方法ならびに薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122837
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335891
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【構成】質量分析を用いないイオン注入装置を用いて、不純物ガスをヘリウムで希釈したガスから生成するイオンを打ち込み、n-層あるいはp-層を自己整合的に形成する工程と、次に純水素ガスから生成される水素イオンを前記のn-層あるいはp-層に打ち込む工程と、次に前記の絶縁基板を300°C以上で加熱して、前記の不純物を活性化することを特徴とする。【効果】 n-層あるいはp-層が300°C程度の低温で活性化できると同時に水素添加量の制御が容易にできる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された多結晶シリコン膜と前記の多結晶シリコン膜上に堆積された絶縁膜に於いて、質量分離を用いないイオン注入装置を用いてPH3を0%を越え10%以下で含み、残部がヘリウムからなる混合ガスから生成する全てのイオンを前記の絶縁膜を通して前記の多結晶シリコン膜中に打ち込み、次に前記の質量分離を用いないイオン注入装置を用いて、純水素ガスから生成される水素イオンを前記の絶縁膜を通して前記の多結晶シリコン膜中に打ち込み、次に前記の絶縁基板を300°C以上で600°C以下に加熱することを特徴とする不純物の活性化方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 A , H01L 21/265 H

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141438 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-240774
特開平4-240774

全件表示

前のページに戻る