特許

J-GLOBAL ID：200903053088509473

シリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法

発明者： 松浦 正道 ,  森田 正 ,  山本 直志
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021669
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：

【要約】【課題】段差切れのない化合物バリヤ膜を単一の装置により1プロセスで形成する方法を提供すること【解決手段】真空室内1に、直流電源5に接続されたメタルターゲット6とその背後の磁石7及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイル8を備えたマグネトロンカソード9を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けたシリコン半導体基板13の表面にメタル膜の成膜と該メタル膜の化合物化を交互に繰り返して厚い化合物バリア膜を形成する

請求項（抜粋）：

真空室内に、直流電源に接続されたメタルターゲットとその背後の磁石及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイルを備えたマグネトロンカソードを設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けたシリコン半導体基板の表面にメタル膜の成膜と該メタル膜の化合物化を交互に繰り返して厚い化合物バリア膜を形成することを特徴とするシリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/54 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/54 B ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高真空・高速イオン処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199962   出願人：日本真空技術株式会社
• 薄膜形成方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-337931   出願人：株式会社シンクロン
• 直流反応スパツタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-230784   出願人：ソニー株式会社
• スパッタ方法およびスパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-252561   出願人：ソニー株式会社