特許
J-GLOBAL ID：200903053112604881
ゲート酸化膜の損傷を回復させる半導体装置のゲート製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094105
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜の損傷を回復させる半導体装置のゲート構造製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100上にゲート酸化膜200を形成する。ゲート酸化膜200上にシリコン元素を含有する導電層を形成する。導電層としては多結晶シリコン層310及びジクロロシラン系タングステンシリサイド層350の積層構造が用いられる。導電層をパターニングしてゲートを形成する。ゲートの側壁を覆うシリコンソース層500をシリコンの選択的エピタキシャル成長で形成する。シリコンソース層500は約200Å以下の厚さに成長される。シリコンソース層500を酸化雰囲気で熱処理してゲート酸化膜200に発生した損傷を回復させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を形成する段階と、前記ゲート酸化膜上にシリコン元素を含有する導電層を形成する段階と、前記導電層を食刻してゲートを形成する段階と、前記ゲートの露出された側壁を覆うシリコンソース層を形成する段階と、前記シリコンソース層を酸化雰囲気で熱処理して前記ゲート酸化膜に発生した損傷を回復させる段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のゲート製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/205
, H01L 21/28 301
H01L 21/205
, H01L 21/28 301 D
, H01L 29/78 301 G
