集積回路デバイスを製造する際にWSixの異常酸化を防止しかつ均質WSix形成によりSiを供給する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055981
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、WSiXの異常酸化を防止するケイ化タングステン膜の析出方法を提供することである。【解決手段】前記課題は、図5記載のゲート積層パターン化後、非晶質シリコンスペーサーの析出だけではなく本来のケイ化タングステンの表面の非晶質シリコン薄層析出によって解決される。【効果】ケイ化タングステンをSi薄層により保護し、組成の不均一なWSiX層の表面上に過剰のSiを供給することにより、表面酸化の防止及び、化学量論的に均質な、Siに富むDCS WSiXの結晶化が保証され、かつ非晶質スペーサーにより、ゲートの側壁の酸化中の異常酸化が回避される。

請求項（抜粋）：

DCS WSiX/ドープされたポリシリコンの相互結合された構造体を集積デバイスに形成させ;かつ非晶質シリコン層を相互結合された構成体上に析出させることを特徴とする、集積回路デバイスを製造する際に、WSiXの異常酸化を防止しかつ均質WSiX形によりSiを供給する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 D , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-194653
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-338396 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181335 出願人：住友金属工業株式会社

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