特許
J-GLOBAL ID：200903053171042811

ウエーハ欠陥検査装置

発明者：
中村 学

中村 学 について


出願人/特許権者：
日本エレクトロセンサリデバイス株式会社

日本エレクトロセンサリデバイス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-060869
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198966
出願日： 2007年02月08日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】 シリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を透過光により検査する際に撮像手段としてエリアセンサカメラを用いると、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、均一な撮像条件でかつ高速に撮像することができない。また、電気抵抗率が低いシリコンウエーハでは、赤外光照明の光がほとんど透過せず透過検査が困難である。【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現し、照明手段をウエーハの電気抵抗率に対応して照度を変更可能に構成することにより、低抵抗ウエーハに対しても透過検査を可能にしている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、シリコンウエーハに対して赤外光照明手段とは反対側に設けた撮像手段と、前記撮像手段の画像からシリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を検出する画像処理装置とから構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備えることを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/88
FI (2件)：
H01L21/66 J ,  G01N21/88 Z
Fターム (16件)：
2G051AA51 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA06 ,  2G051CA03 ,  2G051CA07 ,  2G051CB02 ,  2G051CC20 ,  2G051ED08 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA45 ,  4M106CA46 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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