特許
J-GLOBAL ID：200903053202168878
半導体素子および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036169
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 絶縁基板上のアルミニウム配線パターンに半導体素子がバンプ電極を介して良好に接続され、高い信頼性を有する半導体素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に形成されたアルミニウム配線パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子である。前記バンプの最表面に金薄膜が形成されており、この金薄膜の厚さは、前記アルミニウム配線パターンの膜厚の2/3倍以上2倍以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されたアルミニウム配線パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子において、前記バンプの最表面に金薄膜が形成されており、この金薄膜の厚さは、前記アルミニウム配線パターンの膜厚の2/3倍以上2倍以下であることを特徴とする半導体素子。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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特開昭62-090939
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特開昭62-090939
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