特許
J-GLOBAL ID：200903053204302539

プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の製造方法

発明者：
山口 峰生

山口 峰生 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367850
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135996
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】チャンバーを構成する部材等がプラズマによって削られることに起因するパーティクルの発生や、それによるウェハの汚染を抑制し得る半導体製造装置、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】プラズマ生成室5を有し、プラズマ生成室5で発生させたプラズマでウエハ3を処理するプラズマ処理装置において、プラズマ生成室5を導電性の部材(アルミニウムで形成された母材12)によって形成する。プラズマ生成室5の壁面には、ECR領域9に接触する領域において導電性の部材が露出するように、絶縁膜11を形成する。更に、ECR領域9に接触する領域を接地しておく。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室を有し、前記プラズマ生成室で発生させたプラズマで基板を処理するプラズマ処理装置であって、 前記プラズマ生成室の壁面における少なくとも前記プラズマに接する領域が、導電性を有するように形成され、且つ、接地されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101D ,  C23C16/44 J ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 C
Fターム (10件)：
4K030FA02 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K030LA11 ,  5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-297375   出願人：富士通株式会社
審査官引用 (3件)

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