マスク設計システム、マスク設計方法、およびマスク設計処理またはレイアウト設計処理をコンピュータに実行させるためのプログラム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196385
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039933
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】開口率調整にかかる処理時間が短縮されたマスク設計システムを提供することを目的とする。【解決手段】レイアウト設計部とレイアウト検証部とを含む半導体集積回路のマスク設計システムであって、レイアウト設計部が、チップレイアウトを作成するレイアウト作成部と、開口率を算出する開口率算出部と、開口率が当該マスクパターン層についての所定の基準値範囲にあるか否かを判定する開口率検証部と、マスクパターン層の開口率が基準値範囲の下限値より小さい場合、当該マスクパターン層にダミーパターンを配置するダミーパターン配置部と、マスクパターン層の開口率が基準値範囲の上限値より大きい場合、当該マスクパターン層からダミーパターンを削除するダミーパターン削除部とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レイアウト設計部と、前記レイアウト設計部から出力され検証用フォーマットに変換されたレイアウトデータを検証するレイアウト検証部とを含む半導体集積回路のマスク設計システムであって、前記レイアウト設計部が、チップレイアウトを作成するレイアウト作成部と、チップレイアウトからマスクパターン層の開口率を算出する開口率算出部と、前記開口率算出部により算出された開口率が、当該マスクパターン層についての所定の基準値範囲にあるか否かを判定する開口率検証部と、前記開口率検証部の判定の結果、マスクパターン層の開口率が前記基準値範囲の下限値より小さい場合、当該マスクパターン層にダミーパターンを配置するダミーパターン配置部と、前記開口率検証部の判定の結果、マスクパターン層の開口率が前記基準値範囲の上限値より大きい場合、当該マスクパターン層からダミーパターンを削除するダミーパターン削除部とを備えたことを特徴とするマスク設計システム。

IPC (5件)：

H01L21/82 , G03F1/08 , G06F17/50 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (6件)：

H01L21/82 C , G03F1/08 D , G06F17/50 658M , G06F17/50 658P , H01L21/82 W , H01L27/04 A

Fターム (14件)：

2H095BB01 , 5B046AA08 , 5B046BA05 , 5F038CA05 , 5F038CA17 , 5F038CA18 , 5F038EZ09 , 5F064DD02 , 5F064DD19 , 5F064DD26 , 5F064EE22 , 5F064HH06 , 5F064HH10 , 5F064HH12

引用特許：

審査官引用 (4件)

平坦化パターンの生成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-201454 出願人：沖電気工業株式会社
半導体集積回路のレイアウト設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-011111 出願人：松下電器産業株式会社
半導体集積回路装置及びダミーメタルの挿入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-078557 出願人：株式会社リコー

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