特許
J-GLOBAL ID：200903018243275395

半導体集積回路装置及びダミーメタルの挿入方法

発明者：
吉岡 圭一

吉岡 圭一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078557
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282569
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 可及的に多くのダミーメタルを容易に挿入することができ、ダミーメタルの挿入による既存配線メタル信号の性能の劣化を防止することができる手段を提供する。【解決手段】 半導体集積回路においては、ダミーメタル1と配線メタル4との離間距離が予め設定された配置制限距離以下となる位置には、ダミーメタル1が配置されないようになっている。この配置制限距離は、ダミーメタル1と隣り合う配線メタル4の幅により好ましく変更される。これにより、配線メタルレイアウトに対して、可及的に多くのダミーメタル1を容易に挿入することができ、ダミーメタル1の挿入による既存配線メタル信号の性能の劣化を有効に防止することができるようになっている。
請求項（抜粋）：
ダミーメタルと配線メタルとの離間距離が、予め設定された配置制限距離以下となる位置には、ダミーメタルが配置されないようになっている半導体集積回路装置において、上記配置制限距離が、ダミーメタルと隣り合う配線メタルの幅により異なることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/82
FI (2件)：
H01L 21/88 S ,  H01L 21/82 W
Fターム (16件)：
5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ48 ,  5F033UU03 ,  5F033VV01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX23 ,  5F064BB35 ,  5F064EE09 ,  5F064EE14 ,  5F064EE15 ,  5F064EE17 ,  5F064EE43 ,  5F064EE51 ,  5F064EE58 ,  5F064HH09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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