特許
J-GLOBAL ID：200903053367451485

絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置

発明者：
沖 博美

沖 博美 について

, 
榎 尚史

榎 尚史 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072684
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268233
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体用途において、熱特性、電気特性、密着性に優れ、低誘電率化を可能にする、絶縁膜用樹脂組成物およびそれを用いた絶縁膜を提供する。【解決手段】 一般式(A)で表わされる繰返し単位を有するポリアミドと、該ポリアミド構造中のカルボキシル基、アミノ基、又はヒドロキシル基と反応し得る置換基を有する反応性オリゴマー(B)とを、反応せしめて得られる共重合体(C)、一般式(D)で表される繰返し単位を有するポリアミド、及びオリゴマー(E)を必須成分とする絶縁膜用材料を用いて、絶縁膜を形成させる。【化1】【化2】
請求項（抜粋）：
一般式(A)で表わされる繰返し単位を有するポリアミドと、該ポリアミド構造中のカルボキシル基、アミノ基、又はヒドロキシル基と反応し得る置換基を有する反応性オリゴマー(B)とを、反応せしめて得られる共重合体(C)、一般式(D)で表される繰返し単位を有するポリアミド、及びオリゴマー(E)を必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用材料。【化1】式中、Xは式(F)で表される構造から選ばれ、同じであっても異なっていてもかまわない。Yは式(G-1),式(G-2),式(H),及び式(I)で表される構造の中から選ばれる少なくとも1つの基を、Zは式(J)で表される構造より選ばれる基を表す。繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。また、l及びmは、l>0,m≧0,2≦l+m≦1000,及び0.05≦l/(l+m)≦1の関係を満たす整数である。【化2】式中、Xは式(F)で表される構造から選ばれ、Zは式(J)で表される構造より選ばれる基を表す。繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。また、nは、n>0,2<n<1000の関係を満たす整数である。【化3】【化4】【化5】【化6】【化7】【化8】式(F)及び式(J)中のX<SB>1</SB>は、式(K)で表される構造より選ばれる基、式(G-1)及び式(G-2)中のRは、水素原子、アルキル基又は式(L)で表される基の中から選ばれる一価の基を表す。【化9】【化10】式(F),式(G-1),式(G-2),式(H),式(I),式(J),式(K),及び式(L)で表される基におけるベンゼン環上の水素原子は、炭素数1〜4のアルキル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも1個の基で置換されていてもよい。
IPC (4件)：
C08L 77/06 ,  C08G 69/48 ,  C08L101/02 ,  H01L 21/312
FI (4件)：
C08L 77/06 ,  C08G 69/48 ,  C08L101/02 ,  H01L 21/312 B
Fターム (46件)：
4J001DA01 ,  4J001DB07 ,  4J001DC01 ,  4J001DC05 ,  4J001DC08 ,  4J001DC14 ,  4J001DC15 ,  4J001DD05 ,  4J001DD07 ,  4J001DD13 ,  4J001EB35 ,  4J001EB36 ,  4J001EB37 ,  4J001EB46 ,  4J001EB56 ,  4J001EC45 ,  4J001EC56 ,  4J001EC65 ,  4J001EC66 ,  4J001EC74 ,  4J001FA01 ,  4J001FB03 ,  4J001FC03 ,  4J001FD03 ,  4J001FD05 ,  4J001GE02 ,  4J001JA07 ,  4J001JB18 ,  4J001JB37 ,  4J002BC033 ,  4J002BC093 ,  4J002BG063 ,  4J002CF003 ,  4J002CF103 ,  4J002CF193 ,  4J002CH003 ,  4J002CK023 ,  4J002CL031 ,  4J002CL032 ,  4J002GQ01 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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