特許

J-GLOBAL ID：200903053376122001

薄膜トランスおよびその製造方法

発明者： 田村 純
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355564
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165343
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】従来の薄膜トランスでは、下側コイルと上側コイルとの間の中間絶縁膜を薄いシリコン酸化膜で構成しているため、もっと高い絶縁耐圧が要求される薄膜トランスの場合には、この中間絶縁膜の厚さをもっと厚く形成する必要があった。【解決手段】本発明の薄膜トランス101は、シリコン基板11上に形成されたシリコン酸化膜103上に、下側コイル104と上側コイル106とを中間絶縁膜105を介して対向配置し、下側コイル104は、シリコン基板11に設けられた凹部102の底部に形成され、中間絶縁膜105は、凹部102を埋め込むように形成され、上側コイル106は、その中間絶縁膜105上に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下側コイルと上側コイルとを中間絶縁膜を介して対向配置して形成された薄膜トランスであって、下側コイルは、前記半導体基板に設けられた凹部の底部に形成され、前記中間絶縁膜は、前記凹部を埋め込むように形成され、上側コイルは、前記中間絶縁膜上に形成されたことを特徴とする薄膜トランス。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04

FI (3件)：

H01L27/04 L ,  H01F17/00 B ,  H01F41/04 C

Fターム (13件)：

5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070CB04 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許3141562号 図25
  

審査官引用 (4件)

• 特表昭64-500155
  
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104205   出願人：イノテック株式会社
• 平面トランス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-107613   出願人：松下電器産業株式会社
• インダクタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-306843   出願人：キヤノン株式会社