特許
J-GLOBAL ID：200903053385990814
半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223193
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041430
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 シリコンなどの半導体基板材料が無駄にならず、かつ、SOI層の厚さの制御範囲を広くすることができる半導体基板の製造方法を実現する。【解決手段】 レーザ光4をボンドウェハ1の主面1aから、集光点Pが主面1aから目標の深さdとなるように照射し、ボンドウェハ1の端部から端部へ走査することにより、多光子吸収による改質層1cを形成する。続いて、ボンドウェハ1およびベースウェハ2を結合して結合ウェハ5を作成し、その結合ウェハに対して曲げ応力やせん断応力を付与することにより、結合ウェハ5を改質層1cを起点にして分断する。続いて、分断により作成されたSOI基板6の表面を研削、研磨し、厚さd1のSOI層1fを作成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板材料により形成されたボンドウェハおよびベースウェハを用意し、前記ボンドウェハおよび前記ベースウェハの少なくとも一方の主面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記ボンドウェハおよび前記ベースウェハの主面同士が向かい合うように、前記酸化膜を介して前記ベースウェハおよび前記ボンドウェハを結合して結合ウェハを形成する結合工程とを備えた半導体基板の製造方法において、
前記酸化膜形成工程を実行する前、前記酸化膜形成工程を実行した後および前記結合工程を実行した後のうちいずれかにおいて、前記ボンドウェハの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、そのレーザ光を前記ボンドウェハに対して相対移動させることにより、前記集光点の移動経路に多光子吸収による改質層を形成する改質層形成工程と、
この改質層形成工程を経た前記結合ウェハを前記改質層を起点にして分断する分断工程とを備えたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/268
, H01L 21/762
H01L27/12 B
, H01L21/268 F
, H01L21/76 D
5F032AA91
, 5F032CA05
, 5F032CA07
, 5F032CA09
, 5F032CA11
, 5F032DA02
, 5F032DA12
, 5F032DA21
, 5F032DA33
, 5F032DA41
, 5F032DA53
, 5F032DA71
