特許
J-GLOBAL ID：200903053521340101
金属埋立て方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074587
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282082
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 金属のリセスまたはボイドのような欠陥を防止するための金属埋立て方法を提供する。【解決手段】 半導体基板110上に絶縁膜130、第1及び第2マスク層140、150を順次に形成し、フォトレジストパターン160をマスクとして用いて第1及び第2マスク層140、150をエッチングして第1及び第2マスクを形成する。第1マスクに対して高いエッチング率を有するエッチャントで第1マスクを選択的にエッチングして拡張された開口部W2を有する第3マスクを形成した後、再び第2マスクを用いて絶縁膜をエッチングしてホールを形成する。金属層でホール及び拡張された開口部を埋立て、平坦化工程を通じて第3マスク及び金属層を除去して金属プラグを形成する。金属リセスまたは金属プラグのボイドが大きく改善された金属プラグを形成することができ、金属のギャップ埋立て特性を向上させることができる。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜、第1マスク層及び第2マスク層を順次に形成する段階と、
前記第1及び第2マスク層をエッチングしてそれぞれ第1幅の開口部を有する第1及び第2マスクを形成する段階と、
前記第1マスクを選択的にエッチングして第2幅の拡張された開口部を有する第3マスクを形成する段階と、
前記第2マスクを用いて前記絶縁膜をエッチングして前記絶縁膜に第1幅のホールを形成する段階と、
前記ホール及び前記拡張された開口部を埋立てしながら前記絶縁膜上に金属層を形成する段階と、
前記絶縁膜が露出されるまで前記第3マスク及び前記金属層を除去する段階と、を含む金属埋立て方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (21件)：
5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033MM01
, 5F033PP27
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ19
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ31
, 5F033QQ33
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR12
, 5F033WW02
, 5F033WW04
, 5F033XX00
