特許

J-GLOBAL ID：200903043647598940

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

発明者： 狩野 隆司 ,  野村 康彦 ,  國里 竜也 ,  大保 広樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206301
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022973
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】窒化物系半導体層の平坦性および結晶性を向上させることが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体の形成方法は、Si基板1の上面を加工することによって、Si基板1の上面に、Siからなる複数の円柱状部1aを形成する工程と、その複数の円柱状部1a上に、n型GaN層5を成長させる工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板の上面を加工することによって、前記基板の上面に、複数の島状部を形成する工程と、前記複数の島状部上に、窒化物系半導体層を成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。

Fターム (23件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045BB19 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-289870   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-269197   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335591   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体基板の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-098870   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所