CVD装置及びその装置のクリ-ニング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335842
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】ハロゲン系ガスを供給するCVD装置において加熱された金属部品の腐食およびウエハへの金属汚染のないCVD装置を提供することを目的とする。【解決手段】 CVD装置においてフッ素を構成元素として含むハロゲン系ガスに曝される加熱された金属部品の表面を、ハロゲン系ガスとの反応によりフッ化しても体積膨張率が3.5以下あるいは望ましくは2以下の材料、かつ生成したフッ化物の沸点あるいは昇華点が1000°C以上となる材料で構成する。【効果】ハロゲン系ガスによる金属部品の腐食を防止することができる。

請求項（抜粋）：

反応容器と、前記反応容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応容器から反応ガスを排気する排気手段と、ガス供給手段とを有するCVD装置において、前記CVD装置の加熱される金属部品の表面は、前記金属部品とフッ素を含むハロゲン系ガスとの反応によりフッ化物を生成した時の体積膨張率が3.5以下であって、かつ前記生成したフッ化物の沸点あるいは昇華点は1000°C以上である材料で構成されたことを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/44 B , C23C 16/44 J , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマCVD装置のクリーニング方法およびプラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-193490 出願人：アネルバ株式会社
プラズマCVD装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-289931 出願人：日本真空技術株式会社
特開平2-270964

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