特許
J-GLOBAL ID：200903053603484152
半導体レーザ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190667
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022270
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 安定な単一横モード動作、低しきい値電流密度等に優れる光学的及び電気的特性を有するGaN系半導体レーザ装置を再現性良く得られるようにする。【解決手段】 まず、(0001)面のサファイアからなる基板11の上に、GaNからなるバッファ層12とn型GaNよりなるn型コンタクト層13とを成長させる。次に、n型コンタクト層13の上に全面にSiO2 からなる誘電体膜を堆積し、n型コンタクト層13の上面の(1-100)方向に延びるストライプ状のマスクパターン25を形成する。次に、n型コンタクト層13の上面のマスクパターン25を除く領域にp型GaNからなる電流狭窄層14を成長させる。このとき、電流狭窄層14には、マスクパターン25の領域に開口部14aが形成され、該開口部14aの壁面の基板面はGaNの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ60°となる。
請求項（抜粋）：
基板上にガリウムと窒素とを含む第1の半導体層を成長させる第1の半導体層成長工程と、前記第1の半導体層の上面に、所定の結晶方向に延びるストライプ状の薄膜からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンを用いて前記第1の半導体層の上における前記マスクパターンの両側の領域にガリウムと窒素とを含む第2の半導体層を選択的に成長させた後、前記マスクパターンを除去することにより、前記第2の半導体層からなりストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を形成する電流狭窄層形成工程と、前記電流狭窄層の上に前記開口部を含む全面にわたってダブルヘテロ接合を有する第3の半導体層を成長させることにより、前記開口部に活性層を形成する活性層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Fターム (10件)：
5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA25
, 5F073EA18
, 5F073EA23
