特許
J-GLOBAL ID：200903053630848182

透明導電膜及び透明導電膜の製造方法

発明者：
東福 淳司

東福 淳司 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011307
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209350
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 貴金属微粒子を適用した透明導電層形成用塗布液を用いて、従来よりも均一且つ発達した貴金属微粒子のネットワーク構造を容易に形成できる透明導電膜を製造する方法、その方法により製造され、高い透過率で同時に導電性に優れた透明導電膜を提供する。【解決手段】 透明基材上に、シリカゾルを含有する透明アンダーコート層形成用塗布液を塗布し、その上に貴金属微粒子を含有する透明導電層形成用塗布液を塗布し、その後焼成することにより、透明導電層と透明アンダーコート層からなる2層膜を得る。この透明導電層と透明アンダーコート層からなる2層膜は、透明導電層の厚みが50nm以下であり、2層膜の表面抵抗が100kΩ/□以下であって、透明基板を含まない2層膜だけの可視光透過率が80%以上である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
透明基材上に形成された透明導電膜であって、透明基材上に形成された酸化ケイ素を主成分とする透明アンダーコート層と、該透明アンダーコート層上に形成された貴金属微粒子を含有する透明導電層とを有することを特徴とする透明導電膜。
IPC (3件)：
H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  H01B13/00
FI (3件)：
H01B5/14 A ,  B32B9/00 A ,  H01B13/00 503B
Fターム (23件)：
4F100AA20B ,  4F100AB24C ,  4F100AG00 ,  4F100AG00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100CC00B ,  4F100DE01C ,  4F100EH462 ,  4F100EJ482 ,  4F100GB48 ,  4F100JG01C ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09 ,  5G323BA01 ,  5G323BB01 ,  5G323BC01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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