特許
J-GLOBAL ID:200903053632955903

金属錯体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三枝 英二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-205463
公開番号(公開出願番号):特開2000-264895
出願日: 1999年07月19日
公開日(公表日): 2000年09月26日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 不斉合成も可能とする新しい金属錯体の製造方法を提供する。【解決手段】 一般式M(A1 ,A2 )(B1 ,B2 )(Mは遷移金属元素、A1 とA2 は同一または別異の二座配位子、B1 とB2 は同一または別異のアニオン基を示す)の錯体化合物を、一般式E(X)(Y)(Z)(EはS,P,N,SeまたはAs、X,Y,Zは同一または別異のOまたはN、OまたはNを介してもしくは直接Eに結合する、置換基を有してもよい炭化水素基を示す。なおX,Y,Zのうち複数が一緒に結合を形成してもよい。)の配位化合物と反応させて〔M(A1 ,A2 )(E(X)(Y)(Z))B1 n+(M,A1 ,A2 ,B1 ,E,X,YおよびZは前記のもの、nは整数を示す。)のカチオン錯体を製造する。また一般式(〔M(A1 ,A2 ,A4 )]N D)2N+(A4 は二座配位子、DはA4 を結合する化合物残基、Nは1以上の整数を示す)の金属錯体。
請求項(抜粋):
次式M(A1 ,A2 )(B1 ,B2 )(Mは遷移金属元素を、A1 およびA2 は、同一または別異の二座配位子を、B1 およびB2 は、同一または別異なアニオン基を示す)で表わされる錯体化合物を、次式E(X)(Y)(Z)(Eは、S,P,N,SeまたはAsの元素を、X,Y,Zは、各々、同一または別異に、OまたはNの元素、OまたはNの元素を介してEに結合する、置換基を有していてもよい炭化水素基、もしくはEに直接結合する、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。なお、X,YおよびZは、そのうちの複数のものが一緒になって結合を形成していてもよい。)で表わされる配位化合物と反応させて〔M(A1 ,A2 )(E(X)(Y)(Z))B1 n+(M,A1 ,A2 ,B1 ,E,X,YおよびZは前記のものを示す。nは整数を示す。)で表わされるカチオンの錯体を製造することを特徴とする金属錯体の製造方法。
IPC (4件):
C07F 15/00 ,  C07D213/22 ,  C07F 9/48 ,  C07F 9/50
FI (4件):
C07F 15/00 A ,  C07D213/22 ,  C07F 9/48 ,  C07F 9/50
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る