特許
J-GLOBAL ID：200903053665647937

EUVリソグラフィー用マスク基板の構造及びその製造方法

発明者：
橋本 武夫

橋本 武夫 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277221
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 EUVリソグラフィー用マスク基板における欠陥の影響を低減する。【解決手段】 ガラス基板上に40層の反射層を形成する場合、20層までは、平坦化効果が大きい条件で成膜し、21層以上は、平坦化効果がない条件で成膜する。これにより、下層部の欠陥の空間像への影響をなくすことができるとともに、最上層の反射層の可視光検査結果と空間像良否の結果とを一致させることができる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板上に、EUV光を反射する反射層を複数積層してEUVリソグラフィー用マスク基板を製造する方法であって、 前記基板上に、所定のエッチング作用を有する第一の条件で反射層を所定数形成する第一の工程と、 前記所定数の反射層上に、エッチング作用が前記第一の条件より弱い第二の条件により、反射層をさらに複数形成する第二の工程と、 を含むことを特徴とするEUVリソグラフィー用マスク基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F1/08
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/08 L
Fターム (5件)：
2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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