レチクル上の多層欠陥の軽減

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：門間正一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-530921
公開番号（公開出願番号）：特表2004-510343
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

超紫外線リソグラフィ(EUVL)システムにおいて使用されるレチクル素材上に層状にされた多層コーティングの欠陥を修復する方法を提供する。高横方向空間分解能を用いて、エネルギを、欠陥の近くで多層コーティングに堆積させる。これは、合焦電子ビーム、合焦イオンビームまたは合焦電磁放射線を使用して達成し得る。吸収されたエネルギによって、薄膜の構造上の変態が生じ、膜厚の局所的な変化を生じさせる。膜厚の変化は、エネルギ照射量を調節することによってサブ・ナノメータ精度で制御することができる。厚さ変態の横方向空間分解能は、エネルギ堆積の局所化によって制御される。膜厚を局所的に調節して反射フィールドの変動を修正する。たとえば、構造上の変態が局所的な薄膜収縮であるとき、欠陥の修復は、マウンドを平らにするか、または、くぼみの側部を広げることからなる。

請求項（抜粋）：

超紫外線リソグラフィ(EUVL)システムにおいて使用するためのレチクル上の多層欠陥を軽減する方法であって、前記方法が、欠陥を有する薄膜コーティングを備えた基板を包含するEUVLレチクルを用意する工程と、前記欠陥の近くで前記薄膜コーティングの厚さを変える工程と、を包含することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G03F1/08

FI (3件)：

H01L21/30 531M , G03F1/08 K , G03F1/08 T

Fターム (10件)：

2H095BA02 , 2H095BA07 , 2H095BC11 , 2H095BD31 , 2H095BD32 , 2H095BD34 , 2H095BD35 , 2H095BD36 , 5F046GD10 , 5F046GD11

引用特許：

出願人引用 (21件)

特開昭63-201656
特開昭63-237523
特開平1-004021

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審査官引用 (21件)

反射型マスクとその製造方法および修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210614 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-201656
特開昭63-237523

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