特許

J-GLOBAL ID：200903053678517226

半導体装置の製造装置

発明者： 青山 亨 ,  大石 正人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190991
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041235
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の周辺部をサセプタにより支持しながら熱処理を行う装置では、シリコン基板の周辺部の熱が放熱され易く、中央部に比較してシリコン基板の面内温度が低下され、面内均一な熱処理が困難になる。【解決手段】 加熱処理されるシリコン基板4の周辺部を支持するサセプタ10上に、シリコン基板4を囲むようにシリコン等からなる蓄熱カバー3を配置する。シリコン基板4の周辺部から放射される熱やその他の熱を蓄熱カバー3が吸収し、かつ吸収した熱をシリコン基板4の周辺部に向けて輻射させるため、シリコン基板4の周辺部の温度低下が抑制され、面内温度の均一性が確保される。

請求項（抜粋）：

単結晶のシリコン基板の周辺部をサセプタによってチャンバ内に支持し、前記シリコン基板に対して加熱を行う半導体装置の製造装置において、前記シリコン基板の周囲を囲うように蓄熱カバーを配置したことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 L ,  H01L 21/31 F ,  H01L 21/324 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-032776   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-211117
  
• 気相成長用ウエハ加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-258458   出願人：東芝機械株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-252354   出願人：株式会社東芝