処理装置及び処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053055
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】活性ガス種を被処理体の酸化膜に反応させて生成膜を形成する低温工程と、被処理体を所定の温度に加熱することにより生成膜を気化させる加熱工程とを交互に連続して行うことができる処理装置及び処理方法を提供する。【解決手段】処理装置12は、被処理体Wと透過窓28との間に挿抜可能な遮蔽板103を設け、遮蔽板103を閉状態にして透過窓28からの放射熱を遮断した状態で、被処理体の表面に形成された自然酸化膜に、NF3ガスの活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成し、その後、遮蔽板103を開状態にして、加熱ランプ36からの放射熱を透過窓28を通して生成膜に加え、自然酸化膜を除去するようにしている。また、低温で自然酸化膜にNF3を反応させる低温処理室207と生成膜を加熱する加熱室209とを別々に有している。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に形成された酸化膜を除去するための処理装置であって、被処理体を収納する処理容器と、活性ガス種を生成する活性ガス種生成装置と、前記処理容器の外部に設けられ前記被処理体を加熱する加熱手段と、この加熱手段と前記被処理体との間の前記処理容器に設けられた透過窓であって、前記処理容器の内外を気密に遮蔽するとともに前記加熱手段からの加熱用のエネルギを透過する透過窓と、前記被処理体と前記透過窓との間に挿抜可能に設けられた遮蔽板とを備え、前記遮蔽板を閉状態にして前記透過窓からの放射熱を遮断した状態で、被処理体の表面に形成された酸化膜に、前記活性ガス種を低温状態で反応させて生成膜を形成し、その後、前記遮蔽板を開状態にして、前記加熱手段からの放射熱を前記透過窓を通して前記生成膜に加え、所定の温度に加熱して気化させ、前記生成膜を除去することを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 P , H05H 1/46 B

Fターム (10件)：

5F004AA14 , 5F004BA20 , 5F004BB26 , 5F004BC06 , 5F004DA17 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004FA01

引用特許：

審査官引用 (8件)

表面処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161881 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-032230
特開平4-032230

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