特許
J-GLOBAL ID：200903053703704338
バックプレートなしのシリコンマイクロホン
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小林 浩
, 片山 英二
, 大森 規雄
, 鈴木 康仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-538869
公開番号（公開出願番号）：特表2008-518549
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】専用のバックプレート部品を含まないマイクロホン検出素子を提供する。【解決手段】シリコン系のマイクロホン検出素子とこれを製造するための方法が開示される。本マイクロホン検出素子は、各辺または各コーナーに隣合う孔あきプレートを有するダイアフラムを有する。ダイアフラムは、導電性基板に作られた一つ以上の背面孔の上に整列配置され、この背面孔はダイアフラムの幅より小さい幅を有する。孔あきプレートは、基板の上に在るエアギャップ上に吊り下げられる。ダイアフラムは、コーナー、辺または中心でダイアフラムに取り付けられ、誘電体スペーサ層にアンカー固定された硬質パッドで終わる二つの端部を有する機械的スプリングによって支持される。可変キャパシタ回路を確立するために第1の電極が一つ以上の硬質パッド上に形成され、基板上の一つ以上の位置に第2の電極が形成される。本マイクロホン検出素子は、寄生キャパシタンスを減らすために種々のアプローチで具体化され得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)下部誘電体スペーサ層と上部膜フィルムとからなるスタックが正面上に形成され、ハードマスクが背面上に配置された正面と背面とを有する基板を用意するステップと、
(b)前記基板の前記正面に接する前記下部誘電体スペーサ層を貫通して延びる複数のバイアを前記上部膜フィルム内に形成するステップと、
(c)前記上部膜フィルム上のある一定の位置に複数の第1の電極を、また一つ以上の前記バイアに第2の電極を形成するステップと、
(d)ダイアフラムと前記ダイアフラムの各辺または各コーナーに隣合う孔あきプレートとを定め、一方の端部において前記ダイアフラムに、他方の端部においてパッドに接続される二つの端部を有する機械的スプリングと、各機械的スプリングを前記下部誘電体スペーサ層にアンカー固定するパッドとを定める開口部を形成するために前記上部膜フィルムをエッチングするステップと、
(e)前記ダイアフラムの下に整列されられる、前記ハードマスクにおける開口部と基板における背面孔とをエッチングするステップと、
(f)前記ダイアフラムと前記背面孔との間にエアギャップを形成するために解放ステップにおいて前記下部誘電体スペーサ層の一部分を除去するステップと、を備える専用バックプレートを有さないマイクロホン検出素子を形成する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5D021CC04
, 5D021CC10
, 5D021CC17
, 5D021CC18
, 5D021CC20
