特許
J-GLOBAL ID：200903053743317078
絶縁体上半導体集積回路のための埋め込みパタ-ン化導体プレ-ン
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077904
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330489
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタ拡散からバルク基板内のプレーンへの低抵抗の熱経路を提供し、熱効果を低減する熱シンクを提供することである。【解決手段】 絶縁体上半導体集積回路が、個別の素子機能のための電気導体としての埋め込みパターン化層と、熱導体と、デカップリング・コンデンサとを有する。
請求項（抜粋）：
a)第1のドーパントがドープされた第1のボリュームと、第2のドーパントがドープされた第2のボリュームとを有する導電基板と、b)絶縁層と、c)不純物がドープされ、第1の素子及び第2の素子を形成する活性層と、d)前記第1の素子及び前記第1のボリュームを電気的に接続する第1の導体と、e)前記第2の素子及び前記第2のボリュームを電気的に接続する第2の導体とを含む、半導体回路。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/84
, H01L 27/08
, H01L 27/12
, H01L 29/40
H01L 29/78 621
, H01L 27/08
, H01L 27/12 C
, H01L 29/40 A
, H01L 21/84
