半導体集積回路及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300541
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135799
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】拡散層容量が小さく、放熱性に優れた半導体集積回路を提供する。【解決手段】開示される半導体集積回路は、P型シリコン基板21上に、絶縁体層23と、P型半導体層24、N型高濃度拡散層26a,26b、N型拡散層25、P型高濃度拡散層27a,27bからなる半導体層と、酸化シリコン膜28とが積層され、N型高濃度拡散層26a,26b及びP型高濃度拡散層27a,27bと酸化シリコン膜28上に形成されたアルミニウム配線33a〜33cとを電気的に接続するコンタクトプラグ32a〜32dを有する。P型シリコン基板21内にはN型拡散層22が形成され、コンタクトプラグ32aはN型高濃度拡散層26a及び絶縁体層23を貫通してP型シリコン基板21に到達してグランドと接続され、コンタクトプラグ32dはP型高濃度拡散層27b及び絶縁体層23を貫通してN型拡散層22に到達して電源と接続されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層上に形成され半導体素子を構成する半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記半導体素子と前記絶縁膜上に形成された金属配線とを電気的に接続する複数のコンタクトプラグとを有する半導体集積回路において、前記第1導電型半導体基板内又はその上面に形成された第2導電型拡散層を有し、前記コンタクトプラグの少なくとも1つは、前記半導体層及び前記絶縁体層を貫通して前記第1導電型半導体基板に到達すると共に、第1の電源と接続され、前記コンタクトプラグの少なくとも1つは、前記半導体層及び前記絶縁体層を貫通して前記第2導電型拡散層に到達すると共に、第2の電源と接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/768 , H01L 29/41

FI (6件)：

H01L 29/78 626 Z , H01L 21/90 D , H01L 29/44 Z , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-015852
MOS型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066832 出願人：株式会社東芝
特開平2-271657

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