特許
J-GLOBAL ID：200903053757156859

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
鎌田 勝敬

鎌田 勝敬 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204056
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 撮像欠陥(白点)を低減させるとともに、空乏化電圧の上昇及びシャッター電圧の上昇を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板31表面付近に配置し、光電変換を行うn型不純物拡散層33からなる光電変換部60と、光電変換部60の表面に配置するp型不純物拡散層と、信号電荷を転送するn型不純物拡散層36からなる電荷転送部61とを有する固体撮像装置であって、p型不純物拡散層が、周辺部のp型低濃度領域34bとp型低濃度領域34bよりも不純物濃度が高い中央部のp型高濃度領域34aとからなる固体撮像装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面付近に配置し、光電変換を行うn型不純物拡散層からなる光電変換部と、該光電変換部の表面に配置するp型不純物拡散層と、前記信号電荷を転送するn型不純物拡散層からなる電荷転送部とを有する固体撮像装置であって、前記p型不純物拡散層が、周辺部のp型低濃度領域と該p型低濃度領域よりも不純物濃度が高い中央部のp型高濃度領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (20件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118BA08 ,  4M118BA11 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB11 ,  4M118DA23 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118FA16 ,  5C024CX51 ,  5C024CY47
引用特許：
審査官引用 (6件)
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