特許
J-GLOBAL ID：200903053773994180

記憶素子及びメモリ

発明者：
細見 政功

細見 政功 について

, 
鹿野 博司

鹿野 博司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225836
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049436
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 情報の書き込みに要する電流値のばらつきが少なく、安定に動作すると共に、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17の上下に中間層16,18を介して磁化固定層31,32が設けられ、磁化固定層31,32がいずれも非磁性層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、反強磁性結合により磁化固定層31,32の各強磁性層の磁化の向きが互い違いになっており、上下の磁化固定層31,32のそれぞれ記憶層17に最も近い強磁性層15,19の磁化M15,M19の向きが互いに反対向きであり、積層方向に電流を流すことにより記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に情報が記録される記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記磁化固定層が、いずれも非磁性層を介して積層された複数層の強磁性層から成り、 それぞれの前記磁化固定層において、反強磁性結合により、積層された各前記強磁性層の磁化の向きが互い違いになっており、 前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い前記強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであり、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (6件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA37 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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