特許
J-GLOBAL ID：200903053815711337
アッシング方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-255564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097421
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】変質層を含むアッシング方法に関し、パーティクルの発生、スループットを向上すること。【解決手段】下地層上にレジストを形成する工程と、前記下地層及び前記レジストに元素をイオン注入する工程と、酸素ラジカルを含むラジカル雰囲気に前記下地層を置いて前記レジストの表面に形成された前記元素を含む上部層をアッシングする工程と、前記ラジカル雰囲気中の酸素ラジカルの量を増加して前記レジストの残部をアッシングする工程を有する。
請求項（抜粋）：
下地層上にレジストを形成する工程と、前記下地層及び前記レジストに元素をイオン注入する工程と、酸素ラジカルを含むラジカル雰囲気に前記下地層を置いて、前記レジストの表面に形成された前記元素を含む上部層をアッシングする工程と、前記ラジカル雰囲気中の前記酸素ラジカルの量を増加して前記レジストの残部をアッシングする工程とを有することを特徴とするアッシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
