特許
J-GLOBAL ID:200903053851963679
半導体装置とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-151363
公開番号(公開出願番号):特開平11-345824
出願日: 1998年06月01日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 導電性接着剤や異方性導電材料を用いた実装の導通不良やショートをなくして、信頼性の良い半導体装置を得る。【解決手段】 半導体素子1の一の電極2と回路基板3の一の電極4とを複数のバンプ5で構成されるバンプ群と導電性接着剤6を介して接続する。このとき、同一の電極上の任意のバンプと、他の少なくとも1つのバンプとの距離を50μm以内とする。これによって導電性接着剤の量や流動を制御し、接続部分の導通不良やショートを防ぐことができる。
請求項(抜粋):
半導体素子の電極と回路基板の電極とがバンプを介して導電性接着剤で電気的に接続された半導体装置において、前記半導体素子の一の電極と前記回路基板の一の電極とが複数のバンプで構成されるバンプ群で接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H05K 3/32
FI (3件):
H01L 21/60 311 Q
, H05K 3/32 B
, H01L 21/92 602 D
引用特許: