特許

J-GLOBAL ID：200903053864092375

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 李 清庭
出願人/特許権者： 光磊科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057321
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 オーム接触の熱安定耐久性が素晴らしく、製造方法は簡単であり、コストが下げられ、歩留まりが向上される窒化ガリウム系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板の上にn型半導体層、アクティブ層、及びp型半導体層を含む半導体積層構造を形成する工程と、前記半導体積層構造をエッチングして、前記n型半導体層の一部を露出させる工程と、前記n型半導体層の上にオーム接触、障壁層、及びパッド層を含む第1電極を形成する工程と、前記第1電極とn型半導体層との間の接触抵抗を下げる同時にp型半導体層を活性化するためのアニール工程と、前記p型半導体層の上に第2電極を形成する工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の主表面を持つ基板を提供する工程と、n型の窒化ガリウム系III-V族化合物半導体層と、アクティブ層と、p型の窒化ガリウム系III-V族化合物半導体層と、を有する半導体積層構造を前記基板の第1主表面の上方に形成する工程と、前記半導体積層構造をエッチングしてn型半導体層の一部を露出させる工程と、オーム接触層と、前記オーム接触層の上方にある障壁層と、前記障壁層の上方にあるパッド層と、を有する第1電極を前記n型半導体層に形成する工程と、前記第1電極と前記n型半導体との間の接触抵抗を下げる同時に、前記p型半導体層を活性化するため、アニールを行う工程と、前記p型半導体層に第2電極を形成する工程と、を含む窒化ガリウム系III-V族化合物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/265 601 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/46 H

Fターム (41件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF16 ,  4M104GG04 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• n型窒化ガリウム系半導体のコンタクト電極及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004403   出願人：日本電気株式会社
• 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054551   出願人：松下電器産業株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008727   出願人：日亜化学工業株式会社