特許
J-GLOBAL ID：200903053930382290
半導体レーザ
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131800
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330605
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 p型ドーパントとしてZnを用いた場合ても、十分なキャリアブロッキングを行いつつZnの活性層への拡散を防止し、かつp型クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高発光効率、高出力を得ることができる。【解決手段】 n型半導体基板(1)上に、活性層(3)及びp型クラッド層(5,6,7)を有する半導体レーザにおいて、活性層よりp型クラッド層側のp型不純物の濃度分布が、活性層の端から50乃至250nm離れた位置に極大値を有する半導体レーザ。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板(1)上に、活性層(3)及びp型クラッド層(5,6,7)を有する半導体レーザにおいて、前記活性層より前記p型クラッド層側のp型不純物の濃度分布が、前記活性層の端から50乃至250nm離れた位置に極大値を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
