半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204076
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054828
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】発振閾値電流を低減し、低消費電力で且つ高い信頼性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 pn界面に隣接した厚さ10nmから300nmの範囲の薄膜層を低キャリア濃度とする。具体的には、活性層の上下に配置され、導電性のそれぞれ異なるクラッド層を1E16cm-3から1E17cm-3の低いキャリア濃度で且つ10nmから300nmの層厚をもつ第1の上下クラッド層と5E17cm-3から1E18cm-3の高いキャリア濃度を有する第2の上下クラッド層の少なくとも上下の両クラッド層を2層以上の構成にする。

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上に、MOCVD法によって、順に、少なくとも、高濃度のSiドープn型AlGaAs第1クラッド層と、低濃度のSiドープn型AlGaAs第2クラッド層と、GaAsまたはAlGaAs活性層と、低濃度のZnドープp型AlGaAs第1クラッド層と、高濃度のZnドープp型AlGaAs第2クラッド層と、低濃度のZnドープp型AlGaAs第3クラッド層と、低濃度のSiドープn型AlGaAsまたはGaAs第1ブロック層と高濃度のSiドープn型AlGaAsまたはGaAs第2ブロック層を形成した半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232938 出願人：株式会社日立製作所
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-101787 出願人：サンケン電気株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-166621 出願人：三菱電機株式会社

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