特許

J-GLOBAL ID：200903053970966112

気相成長装置

発明者： 山口 晃 ,  松本 功 ,  阿久津 仲男 ,  植松 邦全
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271258
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100726
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 成長速度が遅く、膜厚に分布があったInGaN,AlGaN等の化合物半導体膜の成長においても、良好な膜質,成長速度,膜厚均一性、再現性を確保できる気相成長装置を提供する。【解決手段】 サセプタ11の上流側に設けられているフローチャンネル14内に水平方向の仕切板19を設けて上下二層のガス流路を形成し、基板側の下部側流路20に原料ガスを供給し、上部側流路21に原料ガスと異なるパージガスを供給するとともに、サセプタ上流側のフローチャンネルの下面に温度調節可能な冷却手段23を設ける。

請求項（抜粋）：

サセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記サセプタの上流側に設けられているフローチャンネル内に水平方向の仕切板を設けて上下二層のガス流路を形成し、基板側の下部側流路に前記原料ガスを供給し、上部側流路に原料ガスと異なるパージガスを供給するとともに、サセプタ上流側のフローチャンネルの下面に温度調節可能な冷却手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

Fターム (19件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化学気相堆積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-322506   出願人：日本碍子株式会社
• 枚葉式の熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-219669   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 有機金属気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-019607   出願人：住友電気工業株式会社