ドープされたゲート誘電体を有するトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551842
公開番号（公開出願番号）：特表2007-520091
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

トランジスタおよびその製造方法。ゲート誘電体材料を堆積する前に半導体基材をドープする。別個のアニール工程、または、トランジスタを製造するために使用される後続のアニール工程の間を用いて、ドーパント種を、基材のドープされた領域から、ゲート誘電体内に出力拡散して、ドープされたゲート誘電体を生成する。ドーパント種は、ゲート誘電体の原子構造における各空孔を埋め、その結果、トランジスタの動作速度が上昇し、電力消費が低減され、電圧安定性が改善される。

請求項（抜粋）：

基材と、上記基材中に配置され、ドーパント種によりドープされた領域と、上記ドープされた領域上に配置され、上記ドーパント種によりドープされたゲート誘電体と、上記ドープされたゲート誘電体上に配置されたゲートと、上記基材の上記ドープされた領域内に少なくとも形成されているソース領域およびドレイン領域とを含み、上記ソース領域、ドレイン領域、ゲートおよびドープされたゲート誘電体により構成される、トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V

Fターム (68件)：

4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG33 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN62 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BB16 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG05 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (5件)

MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100401 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-167046 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-269483 出願人：株式会社東芝

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