特許

J-GLOBAL ID：200903053997187549

Si-O-Si結合を含む固体化合物膜の形成方法、固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法、パターン形成方法及びリソグラフイー用レジスト

発明者： 大越 昌幸 ,  井上 成美 ,  高尾 寛弘
出願人/特許権者： 防衛庁技術研究本部長
代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064586
公開番号（公開出願番号）：特開2004-272049
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】Si-O-Si結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したSi-O-Si結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。【解決手段】成膜チャンバー容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物をターゲット10として設置し、その表面にレーザー光を低エネルギー密度で照射しアブレーションを行う。ターゲット10と対向した基板20上には、ターゲット組成と同一の膜が形成する。また、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜に真空紫外レーザー光を照射することにより、露光部分のみ酸化ケイ素(SiO2)に改質される。したがって、化学薬品の種類を選択することにより、露光部あるいは未露光部のみを化学エッチングでき、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターンが形成できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si-O-Si結合を含む固体化合物にレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に同一組成の膜を形成することを特徴とするレーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の形成方法。

IPC (5件)：

G03F7/075 ,  C23C14/28 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  H01L21/316

FI (5件)：

G03F7/075 511 ,  C23C14/28 ,  G03F7/004 521 ,  H01L21/316 C ,  H01L21/30 502R

Fターム (23件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BB10 ,  2H025BH00 ,  2H025BH01 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB33 ,  2H025FA10 ,  2H025FA39 ,  2H025FA40 ,  4K029AA06 ,  4K029BA46 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029GA00 ,  5F058BC02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF78

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコーン膜の熱分解化学蒸着法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-503944   出願人：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー
• レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-046866   出願人：防衛庁技術研究本部長
• レーザ蒸着法による多層反射膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202220   出願人：科学技術振興事業団
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217101   出願人：ミノルタ株式会社

審査官引用 (4件)

• レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-046866   出願人：防衛庁技術研究本部長
• シリコーン膜の熱分解化学蒸着法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-503944   出願人：マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー
• レーザ蒸着法による多層反射膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202220   出願人：科学技術振興事業団
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217101   出願人：ミノルタ株式会社