シリコン薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060553
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 DCスパッタリングを適用可能で、製造効率の高いシリコン薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】スパッタリングによってシリコン薄膜を製造する方法であって、製造されるべきシリコン薄膜より結晶性が良いシリコンをターゲット物質とする。特に、単結晶シリコンまたは大粒子ポリシリコンをターゲット物質とする。更に、ターゲット物質の抵抗率を100[Ohm-cm]未満、特に、60[Ohm-cm]未満とすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

スパッタリングによってシリコン薄膜を製造する方法であって、製造されるべきシリコン薄膜より結晶性が良いシリコンをターゲット物質とすることを特徴とするシリコン薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 , C23C 14/14 , C23C 14/34 , C23C 14/38

FI (6件)：

H01L 21/203 S , C23C 14/14 A , C23C 14/34 A , C23C 14/34 M , C23C 14/34 K , C23C 14/38

Fターム (17件)：

4K029BA35 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC02 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD16 , 5F103GG02 , 5F103GG03 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103NN04 , 5F103PP03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭64-087764
超微結晶シリコン発光材料、その製造方法、超微結晶シリコン発光材料を用いた素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054890 出願人：理化学研究所
スパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123285 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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