特許
J-GLOBAL ID：200903054046100334
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-206547
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041233
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコン膜等の半導体層に形成されるソース,ドレイン等の不純物領域を自己整合的に形成することができ、動作速度が向上し、しかもプロセスに要する時間を大幅に短くできると共に、基板内の不純物が混入する虞れがなく、更には水素化に要する時間も短くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜12上にn+ ドープト非晶質シリコン膜13を形成した後、n+ ドープト非晶質シリコン膜13に対してガラス基板10の裏面側からゲート電極12をマスクとしてレーザビーム14を照射する。レーザビーム14の照射によりn+ ドープト非晶質シリコン膜13のゲート電極12に対応する領域以外の領域が結晶化し、n+ ドープト多結晶シリコン膜15が形成される。続いて、非晶質シリコン膜と多結晶シリコン膜のエッチング速度の差を利用してゲート電極11上のn+ ドープト非晶質シリコン膜13を除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に選択的に光遮蔽部を形成する工程と、前記基板上に前記基板および光遮蔽部を覆うように非晶質半導体膜を形成する工程と、前記光遮蔽部をマスクとして非晶質半導体膜にエネルギービームを照射し前記非晶質半導体膜を選択的に多結晶化する工程と、前記非晶質半導体膜のうち多結晶化されていない領域を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/3065
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/302 J
, H01L 29/78 616 N
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 627 G
