特許
J-GLOBAL ID：200903054074847518

半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
福村 今日子

福村 今日子 について

, 
佐藤 信二

佐藤 信二 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357925
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183438
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 基板の厚さが数μm〜数十μmの半導体レーザ装置を歩留まりよく製造すること。【解決手段】 厚さが数百μmの半導体基板31上に結晶成長層32および表面電極34を形成して半導体レーザウェハ5を得、その半導体レーザウェハ5を劈開して半導体レーザチップ3を得、半導体レーザチップ3の結晶成長層32側にヒートシンク4を接合し、その状態で基板31の裏面を数μm〜数十μm、例えば5μmの厚さになるまで、研磨による機械的方法や、エッチングによる化学的方法や、スパッタによる方法などにより薄板化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に結晶成長層およびその上に電極を形成して半導体レーザウェハを得る工程と、その半導体レーザウェハを劈開して半導体レーザチップを得る工程と、その半導体レーザチップの結晶成長層側にヒートシンクを接合する工程と、ヒートシンクが接合された状態で前記半導体レーザチップの基板側の面を、該基板の厚さが数μm〜数十μm、好ましくは5μmの厚さになるまで薄板化する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/02 ,  H01S 5/022
FI (2件)：
H01S 3/18 610 ,  H01S 3/18 612
Fターム (9件)：
5F073DA21 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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