特許
J-GLOBAL ID：200903054119185171

レジストパターン形成法

発明者：
中嶋 敏博

中嶋 敏博 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356113
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176773
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターン形成法において、パターン転写処理の簡素化を図る。【解決手段】 ホトマスクMSにおいて、一辺の長さXを有するワンショット領域を被処理基板SBのステップ方向STPに沿って2等分(X/2)した第1,第2の区分領域XL,XRにそれぞれ第1及び第2のパターンA,Bを形成する。基板SB上のレジスト層RSには、被転写領域1の左半分に第1のパターンBを転写した後、基板SBを長さXに対応する1ステップピッチPの1/2だけステップさせて領域1の左半分及び右半分に第1及び第2のパターンA及びBをそれぞれ転写する。以下同様にしてパターンA,Bの転写が終るたびに基板SBを1ステップピッチPの1/2だけステップさせてパターンA,Bの転写を繰返す。パターンA,Bの組合せて並列パターン形成、追加露光等が可能である。
請求項（抜粋）：
ホトマスクに形成したパターンを被処理基板の表面に形成したレジスト層にステップアンドリピート方式で転写した後該レジスト層を現像して残存するレジスト層からなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成法であって、前記パターンとしては、前記ホトマスクのワンショット領域を前記被処理基板のステップ方向に沿ってn(nは2以上の整数)等分した第1〜第nの区分領域に第1〜第nのパターンをそれぞれ形成し、前記ワンショット領域を介しての露光により前記レジスト層に対して前記第1〜第nのパターンを転写した後、前記被処理基板を前記ステップ方向に沿う前記ワンショット領域の長さに対応する1ステップピッチの1/nだけステップさせて前記ワンショット領域を介しての露光により前記レジスト層に対して前記第1〜第nのパターンの転写を繰返すことを特徴とするレジストパターン形成法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G11B 5/31
FI (3件)：
G03F 7/20 521 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 21/30 514 A
Fターム (8件)：
5D033AA02 ,  5D033BB43 ,  5D033DA07 ,  5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CC01 ,  5F046CC04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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