結晶成長工程に使用される溶融シリコンのバリウムドーピング

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-605808
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539068
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】単結晶シリコン成長工程に使用されるドーピングされた溶融シリコンの製造方法を開示する。ポリシリコンをバリウムでドーピングし、約0.5%未満のシリコン不溶性ガスを含有するシリカルツボ内で溶融させる。溶融の間および結晶成長工程を通じて、バリウムが失透促進剤として作用し、メルトに接するルツボの内表面に失透シリカの層を形成して、メルトおよび成長結晶における低レベルの汚染物を達成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンインゴットを成長させるシリカルツボにおいて、シリコンメルトを製造する方法であって、該方法が、内表面および外表面を有する底壁および側壁形成物を有し、約0.5%未満のシリコン不溶性ガスを含有するルツボに、ポリシリコンを装填し; 該ポリシリコンを溶融させて、ルツボ内に溶融シリコン塊を形成し; 該溶融シリコン塊をバリウムでドーピングし;および該溶融シリコン塊に接するルツボの内表面に失透シリカの層を形成し、該層は該溶融シリコン塊中のバリウムによって核形成される;ことを含んで成る方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 , C30B 29/06

FI (2件)：

C30B 29/06 502 A , C30B 29/06 502 H

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB06 , 4G077EG01 , 4G077HA12 , 4G077PB04 , 4G077PD01

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-191779 出願人：信越半導体株式会社
特開平1-157427
特開平1-157428

全件表示

前のページに戻る